【大国重器 硬核沈阳】拓荆科技：郑重前行 深耕半导体征战
发布日期：2025-01-21 15:28 点击次数：74
本文转自：东谈主民网-辽宁频谈
在芯片制造行业，有一种征战和光刻机相通迫切，那等于薄膜千里积征战。比年来，沈阳拓荆科技有限公司（以下简称拓荆科技）凭借PECVD、ALD等一系列先进的半导体薄膜千里积征战，成为国内该边界的领头羊，引颈行业快速发展。
本年前三季度，拓荆科技出货金额同比增长向上160%，公司在手订单弥散，将来新缔结单趋势乐不雅。
聚焦主业
2010年，拓荆科技在沈竖立。公司竖立以来一直专注于高端半导体征战边界，以国度级外洋高级次大家组建起一支国际化的技能团队，深耕薄膜千里积边界，平安酿成了三大类半导体薄膜征战居品系列（PECVD征战、ALD征战及沟槽填充系列征战），后续拓展了搀和键合征战。
“在公司竖立之初，依托国度科技环节专项研制了12英寸PECVD征战并推向阛阓，竣事了PECVD征战的产业化诈欺。在此流程中，公司掌执了PECVD薄膜千里积征战的中枢技能，并积蓄了征战居品从研发到产业化的申饬。”拓荆科技董事长吕光泉先容。
经过十余年的变调发展，公司PECVD、ALD、超上流宽比沟槽填充CVD、搀和键合等征战居品不绝通过客户考证，进入客户量产线，并不休扩多数产范围。当今，拓荆科技在沈阳、上海和海宁有研发和产业化基地。沈阳一厂研发和出产基地年产能约300—350台套。拓荆科技现阶段正在决议沈阳二厂产业化基地的缔造，为公司后续发展提供产能相沿。
成长机遇
“跟着数字化、自动化、智能化需求的波浪迭起，以东谈主工智能、物联网、智能驾驶等为代表的新兴产业变调发展，对半导体芯片的性能和恶果漠视了更高的条目。”吕光泉说，濒临新兴阛阓需求的不休深入，高端半导体征战产业需要连续迭代变调，不休培植居品质能，以知足阛阓关于更高性能、更低功耗、更小尺寸的集成电路的需求，同期，也产生了弘大的半导体征战阛阓空间。
在高端半导体征战中，薄膜千里积征战、光刻征战、刻蚀征战共同组成芯片制造三大中枢征战，决定了芯片制造工艺的先程度度。薄膜千里积征战所千里积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造流程中需求量弘大，且平直影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、千里积工序不同、性能规划不同，相应产生了弘大的薄膜千里积征战阛阓。
“我国比年来在半导体征战边界发展较快，但高端半导体征战自给率仍较低，这也为包括拓荆科技在内的国内半导体征战厂商的发展提供了弘大的机遇。”吕光泉示意。
研发过问
当今，拓荆科技纯熟居品的中枢技能及枢纽性能规划均已达到国际同类征战先进水平，并在客户端粗造诈欺，这与拓荆科技不休加淘气度鼓励居品研发及产业化密不行分。
2021年至2023年，拓荆科技研发过问在贸易收入中的占比区别为38.04%、22.21%和21.29%。2024年前三季度，拓荆科技研发过问4.81亿元，同比增长35.73%。
当今，拓荆科技照旧掌执了一系列具有自主常识产权的中枢技能，并达到国际先进水平。在薄膜征战方面，公司中枢技能粗造诈欺于主贸易务居品中，照拂了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜名义颗粒数目少、快速成膜、征战产能贯通高速等枢纽用功，在保证竣事薄膜工艺性能的同期，培植客户产线的产能，减少客户产线的出产资本。在搀和键合征战方面，公司酿成了晶圆高速高精度瞄准技能、搀和键合及时瞄准技能，竣事较高的晶圆键合精度，并提高了征战产能。
据了解，限制2024年6月30日，拓荆科技累计肯求专利1279项（含PCT）、获取专利402项。其中，拓荆科技本年上半年新增肯求专利74项（含PCT）、新增获取专利45项。