赛说念Hyper | 三星照拂HBM4遐想：逾越海力士半身位
发布日期：2025-02-04 15:24 点击次数：93
作家：周源/华尔街见闻
在与“同门”SK海力士的HBM时间比拼中，三星电子终于挣回了少量颜面。
1月5日，供应链有音书称，三星DS部门存储业务部约在本年1月初完成了HBM4内存逻辑芯片遐想。
凭证该遐想，三星电子Foundry业务部继承4nm制程工艺试产。在完成逻辑芯片最终性能考据后，三星将提供HBM4样品考据。
逻辑芯片，即Logic die（也称Base die，下图红框标注暗示图），在HBM最底层，由DRAM堆叠而成，是完毕多层DRAM的中枢部件。
HBM的中枢上风，继承了3D堆叠时间，将多个DRAM芯片垂直堆叠在沿途。通过硅通孔（TSV）时间完毕芯片间的高速信号传输，大幅裁汰了数据传输的距离和延长，从而能以极高带宽为处理器提供数据营救。
自从三星电子在HBM市集的逾越地位被SK海力士夺走后，三星电子在2023年先后休养了4-5次DS部门的时间架构和辅导东说念主，“咬牙”要通过HBM4在韩国SK海力士哪里渐渐夺回已经独属于我方的业界庄严。
三星电子在HBM3e代际的市集一哥地位被SK海力士取代。
2024年，三星频频休养时间东说念主力资源，为2025年通过全新时间技能，在HBM4代际，以孤立的4nm工艺代工的Base die，取得和SK海力士HBM时间发展抓平的地位。
这种卓绝，主淌若“欺凌”SK海力士莫得代工智商。此前的音书显现，SK海力士正在和台积电扩充计策系结，靠台积电的5nm工艺推动HBM4的Base die遐想制造。
HBM（High Bandwidth Memory），也即是高带宽存储器，主要利用于高性能筹备（HPC）、东说念主工智能（AI）和图形处理（GPU）等限制。
HBM时间已发展至第六代，即HBM（初代）、HBM2（第二代）、HBM2e（第三代）、HBM3（第四代），HBM3e（第五代）以及HBM4（第六代）。
初代HBM带宽128GB/s，由此拉开了数据高速传输的序幕；到HBM4，数据传输速率已高达6.4GT/s（2048位接口），单个堆栈带宽已达1.6TB/s，这个带宽是HBM3e的1.4倍，功耗还能责难30%。
如斯之高的数据传输速率，带给HBM4的压力主要即是能耗（发烧）太高，进而影响HBM4的性能推崇。在悉数HBM4套件中，发烧最高的部分即Base die。因此，三星电子但愿用更先进的4nm工艺取得逾越上风。
然则，三星电子在高制程芯片能耗完毕方面，一向不是台积电敌手，这次能反超台积电吗？这还要看三星HBM4端庄样品出来后的测试服从。从这个角度上看，三星电子的“逾越”，只限于某个门径，即遐想速率更快，但性能究竟怎么，现在还不知说念。
三星电子也昭着其中的要害，故而业界有音书称三星电子自谓：“咱们如实不再具备像当年那样在内存业务上与竞争敌手拉开彰着差距的上风；由于咱们我方领有代工工艺，咱们对快速制造逻辑芯片以闲散客户的定制需求抓乐不雅作风。”
可见，三星电子很澄莹，这次仅仅靠我方的4nm工艺先于竞对完成Base die的遐想使命，但并没取得对SK海力士的全面逾越。
为了对SK海力士保抓更具上风的逾越，三星电子这次还念念通过第六代10nm（c）DRAM芯片用于堆叠在HBM中的通用DRAM。SK海力士现在正在用第五代10nm（b）DRAM。
就算是小幅时间逾越，毕竟亦然逾越不是？
之前业界的音书显现，三星电子磋议继承“夹杂键合”的新设施堆叠16hi（层）的HBM4居品。现在，HBM4分12hi（层）和16hi（层）两类；HBM3e则分为8hi（层）和12hi（层）。
夹杂键合是一种通过铜堆叠芯片的工艺，无需使用传统面容结合芯片的“凸块”，从而能放松尺寸并栽植性能。
三星电子继承了更先进的“热压缩非导电粘合膜（TC-NCF）”时间，能改良每次堆叠芯旋即抛弃薄膜状材料的性能，完毕最多可堆叠12hi（层）的HBM居品。
现在，三星电子现在正在快速激动代工工艺。由于前几代居品逾期于竞争敌手，三星电子正在加速HBM4的程度，以快速反馈客户的样品测试和改良要求。
SK海力士也没闲着，该公司磋议在2025年底量产HBM4，三星电子也有差未几的时辰表。
另一则与HMB4有关的信息，可能会让三星电子在HBM4代际作念出的全面骁勇给出酬谢。
正如微软、Meta 和谷歌那样，特斯拉也在寻求获取行将推出的HBM4内存芯片的样品。为此，特斯拉在近期与三星电子和SK海力士分手作念了接头。
特斯拉Dojo超等筹备系统平台磋议将集成HBM4，以加速“全自动驾驶”神经集会的执行速率。同期，HBM4还能在特斯拉的数据中心和畴昔的自动驾驶汽车中完毕部署。
Dojo系统脚下还在使用较旧的HBM2e芯片执行特斯拉全自动驾驶功能所依赖的复杂AI模子，急需更换成更强性能的HBM居品，以玩忽急剧扩大的数据量。
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